[实用新型]对准标记及半导体结构有效
| 申请号： | 201920295821.0 | 申请日： | 2019-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN209400858U | 公开（公告）日： | 2019-09-17 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | G03F9/00 | 分类号： | G03F9/00;H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 袁礼君;阚梓瑄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种对准标记及半导体结构。所述对准标记能够设置在半导体衬底上，且所述对准标记包括第一区域和第二区域，所述第一区域设置有对准图案，所述第二区域设置有标识图案，所述标识图案用于表示所述对准标记所对应的制程工序。本方案中，易于辨识此对准标记对应哪道制程工序，从而可提高对准效率，以利于提高产品的产率，此外，还便于后续快速验证此对准标记对应的制程工序是否出错，以提高验证效率。 | ||
| 搜索关键词： | 对准标记 制程 半导体结构 标识图案 第二区域 第一区域 半导体技术领域 验证 对准图案 辨识 产率 衬底 半导体 出错 对准 申请 | ||
【主权项】：
1.一种对准标记，其特征在于，所述对准标记能够设置在半导体衬底上，且所述对准标记包括第一区域和第二区域，所述第一区域设置有对准图案，所述第二区域设置有标识图案，所述标识图案用于表示所述对准标记所对应的制程工序。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司，未经长鑫存储技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201920295821.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种具有膨胀PIN功能的对位装置
- 下一篇：一种带大容量粉仓的硒鼓
