[实用新型]深紫外LED有效
申请号: | 201920461069.2 | 申请日: | 2019-04-09 |
公开(公告)号: | CN209729941U | 公开(公告)日: | 2019-12-03 |
发明(设计)人: | 华斌;何伟 | 申请(专利权)人: | 苏州汉骅半导体有限公司 |
主分类号: | H01L33/14 | 分类号: | H01L33/14 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215000 江苏省苏州市工业园区*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本申请涉及一种深紫外LED,包括:衬底,位于所述衬底上的n型半导体层;依次位于所述n型半导体层上的量子阱层和p型半导体层;以及位于所述n型半导体层上的N电极和位于所述p型半导体层上的P电极;其中,所述n型半导体层包括埋在所述n型半导体层中的图案化介质层。本申请所提出的深紫外LED通过设置图案化介质层增大n型半导体层的横向电阻,即可以改善量子阱层发光的均匀性又可以增大出光面积。 | ||
搜索关键词: | 图案化介质 深紫外LED 量子阱层 衬底 横向电阻 均匀性 申请 发光 | ||
【主权项】:
1.一种深紫外LED,其特征在于,包括:/n衬底,位于所述衬底上的n型半导体层;/n依次位于所述n型半导体层上的量子阱层和p型半导体层;/n以及位于所述n型半导体层上的N电极和位于所述p型半导体层上的P电极;/n其中,所述n型半导体层包括埋在所述n型半导体层中的图案化介质层。/n
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