[实用新型]深紫外LED有效

专利信息
申请号: 201920461069.2 申请日: 2019-04-09
公开(公告)号: CN209729941U 公开(公告)日: 2019-12-03
发明(设计)人: 华斌;何伟 申请(专利权)人: 苏州汉骅半导体有限公司
主分类号: H01L33/14 分类号: H01L33/14
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 215000 江苏省苏州市工业园区*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 本申请涉及一种深紫外LED,包括:衬底,位于所述衬底上的n型半导体层;依次位于所述n型半导体层上的量子阱层和p型半导体层;以及位于所述n型半导体层上的N电极和位于所述p型半导体层上的P电极;其中,所述n型半导体层包括埋在所述n型半导体层中的图案化介质层。本申请所提出的深紫外LED通过设置图案化介质层增大n型半导体层的横向电阻,即可以改善量子阱层发光的均匀性又可以增大出光面积。
搜索关键词: 图案化介质 深紫外LED 量子阱层 衬底 横向电阻 均匀性 申请 发光
【主权项】:
1.一种深紫外LED,其特征在于,包括:/n衬底,位于所述衬底上的n型半导体层;/n依次位于所述n型半导体层上的量子阱层和p型半导体层;/n以及位于所述n型半导体层上的N电极和位于所述p型半导体层上的P电极;/n其中,所述n型半导体层包括埋在所述n型半导体层中的图案化介质层。/n
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