[实用新型]电容器、DRAM单元和存储器有效
| 申请号： | 201920548020.0 | 申请日： | 2019-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN209785930U | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L21/027 |
| 代理公司： | 31294 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 孙佳胤;董琳 |
| 地址： | 230001 安徽省合肥市蜀山*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种电容器、DRAM单元和存储器，所述电容器包括：衬底，所述衬底内形成有电接触部；连接所述电接触部的下电极层，所述下电极层包括至少两个间隔排布的子电极层，所述子电极层的底部连接所述电接触部；位于所述下电极层内外表面的电容介质层，以及位于所述电容介质层表面的上电极层。上述电容器具有较高的单位面积电容值。 | ||
| 搜索关键词： | 电容器 电接触部 下电极层 电容介质层 子电极层 衬底 单位面积电容 本实用新型 存储器 底部连接 间隔排布 内外表面 电极层 | ||
【主权项】：
1.一种电容器，其特征在于，包括：/n衬底，所述衬底内形成有电接触部；/n连接所述电接触部的下电极层，所述下电极层包括至少两个间隔排布的子电极层，所述子电极层的底部连接所述电接触部；/n位于所述下电极层内外表面的电容介质层，以及位于所述电容介质层表面的上电极层。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司，未经长鑫存储技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201920548020.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
