[实用新型]引线框架和功率半导体器件有效
| 申请号： | 201920555320.1 | 申请日： | 2019-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN209896052U | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 李响;牛永佳;魏洪松;郭宁 | 申请（专利权）人： | 吉林华微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L23/31 |
| 代理公司： | 11463 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 王献茹 |
| 地址： | 132013 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种引线框架和功率半导体器件，属于电子器件技术领域。该引线框架包括框架和挡墙，挡墙设置在框架上，挡墙为环形，芯片能够安装在挡墙围成的环形中。该功率半导体器件包括芯片、外壳和上述引线框架，芯片焊接在引线框架上，且芯片位于挡墙中。外壳注塑在引线框架上，以覆盖芯片。本实用新型改善了现有技术由于芯片焊接过程中易溢料进而导致封装功率半导体器件质量较低且使用寿命不长的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 引线框架 挡墙 功率半导体器件 芯片 本实用新型 芯片焊接 电子器件 使用寿命 外壳注塑 溢料 封装 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种引线框架，其特征在于，包括框架和挡墙；/n所述挡墙设置在所述框架上，所述挡墙为环形，芯片能够安装在所述挡墙围成的环形中；/n所述挡墙的顶边上沿所述挡墙的高度方向开设有第一凹槽。/n
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