[实用新型]一种P型隧穿氧化物钝化接触太阳能电池

摘要

本实用新型公开了一种P型隧穿氧化物钝化接触太阳能电池，属于晶体硅太阳能电池技术领域，其目的在于解决现有技术中太阳能电池背面钝化效果差的问题，本实用新型包括正面电极、减反射层一、N型重掺杂硅层、P型硅基底、Al₂O₃钝化层、减反射层二、背面电极，N型重掺杂硅层还层叠设置有N型重掺杂多晶硅层以及SiO₂层，SiO₂层与P型硅基底接触设置，正面电极穿透减反射层一与N型重掺杂多晶硅层相接触。本实用新型通过在硅片正面先形成二氧化硅层，再于二氧化硅层上形成N型重掺杂多晶硅层，进而减小了金属接触区域的复合损失，进而提升了电池的转换效率。

主权项

1.一种P型隧穿氧化物钝化接触太阳能电池，其特征在于：包括正面电极(1)、减反射层一(2)、N型重掺杂硅层(5)、P型硅基底(6)、Al₂O₃钝化层(8)、减反射层二(9)、背面电极(10)，所述减反射层一(2)、N型重掺杂硅层(5)、P型硅基底(6)、Al₂O₃钝化层(8)、减反射层二(9)、背面电极(10)依次层叠设置，N型重掺杂硅层(5)还层叠设置有N型重掺杂多晶硅层(3)以及SiO₂层(4)，SiO₂层(4)与P型硅基底(6)接触设置，正面电极(1)穿透减反射层一(2)与N型重掺杂多晶硅层(3)相接触。