[实用新型]一种多芯片焊接结构有效

专利信息
申请号: 201920614453.1 申请日: 2019-04-29
公开(公告)号: CN209675286U 公开(公告)日: 2019-11-22
发明(设计)人: 李晓白;朱连迎;栗伟斌;程仕红;舒雄;李建强;云星 申请(专利权)人: 深圳米飞泰克科技有限公司
主分类号: H01L25/16 分类号: H01L25/16;H01L23/495;H01L23/488
代理公司: 44414 深圳中一联合知识产权代理有限公司 代理人: 王善娜<国际申请>=<国际公布>=<进入
地址: 518000 广东省深圳市龙岗区宝龙*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 一种多芯片焊接结构,通过在引线键合前先加入设于第一芯片的第一植球和设于第二芯片的带有第二植球本体和第一导电连线的第二植球,利用第一植球和第二植球来承受第一芯片和第二芯片间因引线键合而带来的压力,避免了采用引线键合方式连接两个或多个芯片时导致的较大的输出压力直接输送到芯片上,从而解决了传统的技术方案中的存在同介质因输出压力不同而造成键合失效几率增加、键合质量低以及故障率高的问题。
搜索关键词: 植球 芯片 输出压力 引线键合 键合 引线键合方式 导电连线 焊接结构 失效几率 直接输送 传统的 多芯片 故障率
【主权项】:
1.一种多芯片焊接结构,其特征在于,包括:/n载体,设置有安装芯片的基岛区域;/n第一芯片,所述第一芯片的第一表面贴设于所述基岛区域上;/n第二芯片,所述第二芯片的第一表面贴设于所述基岛区域上,且所述第一芯片和所述第二芯片以缝隙相互间隔设置;/n第一植球,所述第一植球设于所述第一芯片上的与所述第一表面相对的第二表面;以及/n第二植球,包括设于所述第二芯片上的与所述第一表面相对的第二表面的第二植球本体,以及由所述第二植球本体往外延伸与所述第一植球连接的第一导电连线。/n
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