[实用新型]超声波蚀刻装置有效
| 申请号： | 201920758651.5 | 申请日： | 2019-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN209607710U | 公开（公告）日： | 2019-11-08 |
| 发明（设计）人： | 黄国栋 | 申请（专利权）人： | 深圳天华机器设备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 深圳市博锐专利事务所 44275 | 代理人： | 林栋 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市坪*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种超声波蚀刻装置，包括机架和设于机架上的蚀刻槽，还包括传送件和设于机架上的上超声波发生器以及下超声波发生器，所述传送件架设于所述蚀刻槽内，所述上超声波发生器设于所述传送件的上方，所述下超声波发生器设于传送件的下方，所述上超声波发生器与下超声波发生器相对设置。相对设置的上超声波发生器和下超声波发生器分别位于传送件的上方和下方，可以对传送件上待蚀刻产品的正反两面同时进行加工处理，提高蚀刻液渗透和蚀刻的效率，缩短产品的蚀刻时间，从而提高生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 超声波发生器 传送件 蚀刻 蚀刻装置 相对设置 超声波 蚀刻槽 本实用新型 生产效率 正反两面 蚀刻液 架设 | ||
【主权项】：
1.超声波蚀刻装置，包括机架和设于机架上的蚀刻槽，其特征在于：还包括传送件和设于机架上的上超声波发生器以及下超声波发生器，所述传送件架设于所述蚀刻槽内，所述上超声波发生器设于所述传送件的上方，所述下超声波发生器设于传送件的下方，所述上超声波发生器与下超声波发生器相对设置。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳天华机器设备有限公司，未经深圳天华机器设备有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201920758651.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种集成电路基板传送阻力感应装置
- 下一篇：一种自动夹管上提机构
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
