[实用新型]一种晶圆级封装结构有效
| 申请号： | 201920789427.2 | 申请日： | 2019-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN209963047U | 公开（公告）日： | 2020-01-17 |
| 发明（设计）人： | 李春阳;方梁洪;刘明明;任超;彭祎;刘凤 | 申请（专利权）人： | 宁波芯健半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/482;H01L23/488 |
| 代理公司： | 44202 广州三环专利商标代理有限公司 | 代理人： | 郝传鑫;贾允 |
| 地址： | 315336 浙江省宁波市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种晶圆级封装结构，包括：晶圆，所述晶圆上设置有若干个芯片单元，所述芯片单元上包括至少一个焊盘；再钝化层，所述再钝化层覆盖在所述芯片单元和所述焊盘，并暴露焊盘开口；第一金属种子层，所述第一金属种子层覆盖所述再钝化层和所述焊盘开口；光阻层，所述光阻层覆盖所述第一金属种子层；导电凸块，所述导电凸块设置在所述焊盘开口上；第二金属种子层，所述第二金属种子层覆盖所述芯片单元所在焊盘的另一侧；重布线层，所述重布线层覆盖所述第二金属种子层，本实用新型通过在芯片的背面布局电镀工艺，可以提高芯片的整体散热能力，从而提高产品的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 金属种子层 芯片单元 焊盘开口 再钝化层 焊盘 覆盖 本实用新型 导电凸块 重布线层 光阻层 晶圆 芯片 整体散热能力 电镀工艺 封装结构 种晶 背面 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆级封装结构，其特征在于，包括：/n晶圆，所述晶圆上设置有若干个芯片单元，所述芯片单元上包括至少一个焊盘；/n再钝化层，所述再钝化层覆盖在所述芯片单元和所述焊盘，其中所述再钝化层暴露焊盘开口；/n第一金属种子层，所述第一金属种子层覆盖所述再钝化层和所述焊盘开口；/n光阻层，所述光阻层覆盖所述第一金属种子层，用于将光刻版上的图形转移到所述芯片单元上；/n导电凸块，所述导电凸块设置在所述焊盘开口上；/n第二金属种子层，所述第二金属种子层覆盖所述芯片单元所在焊盘的另一侧；/n重布线层，所述重布线层覆盖所述第二金属种子层。/n
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