[实用新型]一种硅二极管银凸点电极的制作设备有效
| 申请号： | 201920867755.X | 申请日： | 2019-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN209675240U | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 刘明;王慧;陈震 | 申请（专利权）人： | 扬州晶新微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;C25D7/12;C25D17/02 |
| 代理公司： | 11212 北京轻创知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄启兵<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 225000*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型属于半导体电镀技术领域，具体涉及一种硅二极管银凸点电极的制作设备。包括电镀槽、支撑装置、探针组、鼓液装置、电极板和电镀电源，所述支撑装置设置在电镀槽口，用于支撑待电镀的二极管芯片，所述鼓液装置和电极板均设置在所述电镀槽内部，所述探针组设置在所述待电镀的二极管芯片上方，且与待电镀的二极管芯片相抵，所述电镀电源正负极分别与所述电极板和探针组相连。本实用新型的有益效果是：电镀时由于先去除了光刻胶，不再有气泡产生，生长出来的银凸点无需再经过腐蚀，可保持原来的形状；由于本申请是与光刻腐蚀同时进行，节约了生产成本，提高了工作效率和银凸点的质量，也不会因为银凸点高度不够问题而返工。 | ||
| 搜索关键词： | 电镀 银凸点 二极管芯片 电极板 探针组 本实用新型 电镀电源 支撑装置 电镀槽 电镀技术领域 工作效率 光刻腐蚀 硅二极管 气泡产生 制作设备 光刻胶 正负极 电极 槽口 返工 生产成本 半导体 相抵 腐蚀 节约 生长 支撑 申请 | ||
【主权项】：
1.一种硅二极管银凸点电极的制作设备，其特征在于：包括电镀槽、支撑装置、探针组、鼓液装置、电极板和电镀电源，所述支撑装置设置在电镀槽口，用于支撑待电镀的二极管芯片，所述鼓液装置和电极板均设置在所述电镀槽内部，所述探针组设置在所述待电镀的二极管芯片上方，且与待电镀的二极管芯片相抵，所述电镀电源正负极分别与所述电极板和探针组相连；还包括与电镀槽同轴心设置的电镀外槽，所述电镀外槽设置在所述电镀槽外部，用于接住所述电镀槽内溢出的电镀液，且与所述电镀槽内部贯通。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
