[实用新型]硅晶绝缘体薄型化机台有效

申请号：	201920874235.1	申请日：	2019-06-12
公开（公告）号：	CN210040141U	公开（公告）日：	2020-02-07
发明（设计）人：	黄冠豪;李欣真;骆玉盛	申请（专利权）人：	华矽创新股份有限公司
主分类号：	H01L21/67	分类号：	H01L21/67;H01L21/677;B24B37/04;B24B29/02
代理公司：	44224 广州华进联合专利商标代理有限公司	代理人：	景怀宇;郑小粤
地址：	中国台***	国省代码：	中国台湾;71
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摘要：	本实用新型提供一种硅晶绝缘体薄型化机台，包括输送单元、研磨单元、抛光单元以及蚀刻单元，所述硅晶绝缘体置于所述输送单元上运送，当被所述输送单元送经所述研磨单元时，由所述研磨单元对位于所述硅晶绝缘体顶部的硅层研磨而进行第一阶段薄化，再送经所述抛光单元，而由所述抛光单元对所述硅层抛光而进行第二阶段薄化，接着再送经所述蚀刻单元，而由所述蚀刻单元对所述硅层蚀刻而进行第三阶段薄化，使所述硅晶绝缘体的所述硅层的厚度可由第一、二、三阶段逐渐减薄，以符合所述硅层由厚减薄的范围需求，且避免快速薄化所造成结构断裂或破损的情形发生。
搜索关键词：	绝缘体硅层蚀刻薄化硅晶抛光单元输送单元研磨单元送经机台本实用新型研磨抛光薄型化厚减薄三阶段减薄破损断裂运送
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【主权项】：

1.一种硅晶绝缘体薄型化机台，其特征在于，所述硅晶绝缘体包括基板、绝缘层以及硅层，所述绝缘层设在所述基板和所述硅层之间；所述薄型化机台包括：/n输送单元，所述硅晶绝缘体置于所述输送单元上且沿路径运送；/n研磨单元，设置于所述路径上，所述硅晶绝缘体随所述输送单元送经所述研磨单元，且对所述硅层研磨而进行第一阶段薄化；/n抛光单元，设置于所述路径上且位于所述研磨单元之后，所述硅晶绝缘体随所述输送单元送经所述抛光单元，且对所述硅层抛光而进行第二阶段薄化；以及/n蚀刻单元，设置于所述路径上且位于所述抛光单元之后，所述硅晶绝缘体随所述输送单元送经所述蚀刻单元，且对所述硅层蚀刻而进行第三阶段薄化。/n

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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