[实用新型]一种调节半导体刻蚀设备工艺腔顶针高度结构有效

申请号：	201920896749.7	申请日：	2019-06-14
公开（公告）号：	CN210073777U	公开（公告）日：	2020-02-14
发明（设计）人：	廖海涛	申请（专利权）人：	江苏邑文微电子科技有限公司
主分类号：	H01L21/67	分类号：	H01L21/67;H01J37/32;H01L21/687
代理公司：	11400 北京商专永信知识产权代理事务所(普通合伙)	代理人：	施荣华;胡建锋
地址：	226000 江苏***	国省代码：	江苏;32
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摘要：	本实用新型公开了一种调节半导体刻蚀设备工艺腔顶针高度结构，涉及刻蚀设备技术领域，该调节半导体刻蚀设备工艺腔顶针高度结构，包括载物台，所述载物台的顶部设置有绝缘膜，所述绝缘膜远离载物台的一侧活动连接有硅片，所述载物台的一侧固定连接有第一支撑柱和第二支撑柱，所述第一支撑柱的外表面活动连接有弹簧，所述弹簧的一端活动连接有顶针板。该调节半导体刻蚀设备工艺腔顶针高度结构，通过在第一支撑柱上设置卡环，能够根据情况调整顶针板和载物台，便于调整针体和硅片的距离，避免了半导体刻蚀设备在氧化膜等离子刻蚀时经常发生异常放电，导致硅片背面有白色圆点缺陷的情况出现，实现了调整针体和硅片距离的目的。
搜索关键词：	半导体刻蚀设备支撑柱顶针活动连接有高度结构工艺腔载物台硅片顶针板绝缘膜弹簧针体本实用新型等离子刻蚀白色圆点顶部设置硅片背面刻蚀设备异常放电氧化膜卡环
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【主权项】：

1.一种调节半导体刻蚀设备工艺腔顶针高度结构，包括载物台(1)，其特征在于：/n所述载物台(1)的顶部设置有绝缘膜(2)，所述绝缘膜(2)远离载物台(1)的一侧活动连接有硅片(3)，所述载物台(1)和绝缘膜(2)的一侧开设有活动槽(4)，所述载物台(1)的一侧固定连接有第一支撑柱(5)和第二支撑柱(6)，所述第一支撑柱(5)的外表面活动连接有弹簧(7)，所述弹簧(7)的一端活动连接有顶针板(8)，所述第一支撑柱(5)的一端固定连接有挡板(9)，所述顶针板(8)远离弹簧(7)的一侧活动连接有卡环(10)；/n所述第二支撑柱(6)远离载物台(1)的一侧固定连接有限位块(11)，所述限位块(11)远离第二支撑柱(6)的一侧开设有限位槽(12)，所述顶针板(8)一侧的两端均固定连接有限位柱(13)，所述顶针板(8)一侧的中心开设有卡槽(14)，所述卡槽(14)的内部镶嵌有活动环(15)，所述顶针板(8)一侧靠近限位柱(13)的两端均开设有螺纹槽(16)，所述螺纹槽(16)的内部设置有顶针把手(17)，所述顶针把手(17)的一端固定连接有针体(18)。/n

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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