[实用新型]一种晶硅电池、晶硅电池组件及太阳能系统有效
| 申请号： | 201920904253.X | 申请日： | 2019-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN209708992U | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 苏州联诺太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/068 |
| 代理公司： | 32103 苏州创元专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 郝彩华<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种晶硅电池、晶硅电池组件及太阳能系统，晶硅电池包括分别设置于所述晶硅电池的正面和/或背面的导电薄膜层，所述导电薄膜层包括TCO层和至少一层的金属薄膜层，所述金属薄膜层设置在所述TCO层上。该晶硅电池通过在晶硅电池的正面和/或背面设置金属薄膜层来部分替代现有技术中的导电氧化物薄膜层，降低了晶硅电池的成本，并可提升晶硅电池的导电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 晶硅电池 金属薄膜层 导电薄膜层 导电氧化物薄膜 本实用新型 太阳能系统 背面设置 导电性能 硅电池 种晶 替代 | ||
【主权项】：
1.一种晶硅电池，包括分别设置于所述晶硅电池的正面和/或背面的导电薄膜层，其特征在于：所述导电薄膜层包括TCO层和至少一层的金属薄膜层，所述金属薄膜层设置在所述TCO层上。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
