[实用新型]一种等离子体CVD装置的腔内台升降机构有效
申请号: | 201920910781.6 | 申请日: | 2019-06-17 |
公开(公告)号: | CN210657129U | 公开(公告)日: | 2020-06-02 |
发明(设计)人: | 赵月;洪丽;公占飞 | 申请(专利权)人: | 湖上产业发展集团有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;C23C16/54 |
代理公司: | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人: | 尉伟敏 |
地址: | 310053 浙江省杭州市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种等离子体CVD装置的腔内台升降机构,机架的工作平台上设有等离子腔,等离子腔下端的开口处设有腔体法兰,工作平台下方的机架上竖直设有导轨,升降机构包括设置在导轨上由电机驱动的升降座,升降座的一侧设有水平结构的升降台,升降台上方设有用于密封等离子腔下端开口的升降法兰,升降台与升降法兰之间设有缓冲机构,等离子体CVD装置的腔内台通过支撑管固定在升降台上,腔内台位于升降法兰的上方且与等离子腔下端的开口相对应。本实用新型的升降机构在腔内台升降时具有缓冲功能,等离子腔密封性好且升降机构的使用寿命长,具有很高的实用价值。 | ||
搜索关键词: | 一种 等离子体 cvd 装置 腔内台 升降 机构 | ||
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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