[实用新型]薄膜晶体管阵列和阵列基板有效

专利信息
申请号: 201921000087.7 申请日: 2019-06-27
公开(公告)号: CN210073849U 公开(公告)日: 2020-02-14
发明(设计)人: 郑佳阳 申请(专利权)人: 惠科股份有限公司;重庆惠科金渝光电科技有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12
代理公司: 44224 广州华进联合专利商标代理有限公司 代理人: 明霖
地址: 518101 广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 本申请涉及一种薄膜晶体管阵列和阵列基板。该薄膜晶体管阵列包括排列组合分布在面板上第一单元结构和第二单元结构,第一单元结构包括至少两个第一薄膜晶体管,第二单元结构包括至少两个第二薄膜晶体管,且相邻两个第一薄膜晶体管的第一源极单元的开口方向相互平行,相邻两个第二薄膜晶体管的第二源极单元的开口方向相互垂直。因而第一单元结构和第二单元结构的阵列组合在行和列上的设置更加紧密,从而提高占用面积利用率,使得薄膜晶体管阵列整体的占用面积更小更窄。从而使得薄膜晶体管阵列所属的非显示区在阵列基板上的占用面积更窄,从而提高产能并降低产品成本,使阵列基板更适合制作窄边框的显示产品。
搜索关键词: 单元结构 薄膜晶体管阵列 薄膜晶体管 阵列基板 开口方向 占用 源极 面积利用率 产品成本 非显示区 排列组合 显示产品 阵列组合 窄边框 产能 平行 垂直 制作 申请
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管阵列,其特征在于,包括第一单元结构和第二单元结构;/n所述第一单元结构包括至少两个第一薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管包括多个相互连接的第一源极单元和分别与所述第一源极单元相对设置的多个第一漏极单元,每个第一薄膜晶体管的第一源极单元与相邻的第一薄膜晶体管的第一漏极单元相互连接,相邻两个第一薄膜晶体管的所述第一源极单元的开口方向相互平行;/n所述第二单元结构包括至少两个第二薄膜晶体管,所述第二薄膜晶体管包括多个相互连接的第二源极单元和分别与所述第二源极单元相对设置的多个第二漏极单元,每个第二薄膜晶体管的第二源极单元与相邻的第二薄膜晶体管的第二漏极单元相互连接,相邻两个第二薄膜晶体管的所述第二源极单元的开口方向相互垂直。/n
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