[实用新型]超低残压的双向ESD保护器件

摘要

超低残压的双向ESD保护器件，包括P‑区（101），位于P‑区（101）上方的P+层（102）和N阱（103）；左侧N阱（103）顶部设第一P+接触区（104）以及第一N+接触区（105），左侧N阱（103）上方为阴极金属电极（109）；右侧N阱（103）顶部设第二P+接触区（106）以及第二N+接触区（107），右侧N阱（103）上方为阳极金属电极（110）；其中阴极金属电极（109）、阳极金属电极（110）与下方P+层（102）、N阱（103）的硅表面的非接触区域由绝缘介质层（108）隔离；该器件为双向对称结构。本实用新型实现了实现超低残压，降低了对集成电路的影响。