[实用新型]一种具有提升异质结太阳电池光电转换效率的电池结构有效
| 申请号： | 201921089818.X | 申请日： | 2019-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN210052747U | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 张鹏 | 申请（专利权）人： | 通威太阳能(成都)有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/0747;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 51230 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戴立亮 |
| 地址： | 610299 四川省成都市双流*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种具有提升异质结太阳电池光电转换效率的电池结构,属于太阳能电池生产制造技术领域中的一种电池结构，其目的在于提供一种有提升异质结太阳电池光电转换效率的电池结构，其技术方案为包括从下到上依次设置的背面Al背场电极、第一ITO区、第二ITO区，第一ITO区、第二ITO区之间设置有掺杂区，所述第二ITO区上方的一侧设置有正面Ti/Al电极，所述第二ITO区上方的一侧设置有掺铟纳米颗粒氧化硅层，所述掺铟纳米颗粒氧化硅层的厚度为：5‑30nm；本实用新型提供一种具有提升异质结太阳电池光电转换效率的电池结构，从而降低设备成本、降低耗材。 | ||
| 搜索关键词： | 电池结构 异质结太阳电池 光电转换效率 本实用新型 纳米颗粒 氧化硅层 太阳能电池生产 背场电极 降低设备 依次设置 电极 掺杂区 耗材 背面 制造 | ||
【主权项】：
1.一种具有提升异质结太阳电池光电转换效率的电池结构,其特征在于：包括从下到上依次设置的背面Al背场电极(1)、第一ITO区(2)、第二ITO区(3)，第一ITO区(2)、第二ITO区(3)之间设置有掺杂区(4)，所述第二ITO区(3)上方的一侧设置有正面Ti/Al电极(5)，所述第二ITO区(3)上方的一侧设置有掺铟纳米颗粒氧化硅层(6)，所述掺铟纳米颗粒氧化硅层(6)的厚度为：5-30nm。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
