[实用新型]一种静电吸盘组件及等离子体蚀刻设备有效
| 申请号： | 201921168555.1 | 申请日： | 2019-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN210223990U | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 薛荣华;朱进;刘家桦;叶日铨 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/67;H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型提供的一种静电吸盘组件及等离子体蚀刻设备，静电吸盘组件包括：静电吸盘，用于安装待蚀刻的晶圆；接地挂环，接地挂环套设在静电吸盘的外侧；基座，静电吸盘和接地挂环设置在基座上；其中，接地挂环包括外壁，基座和静电吸盘暴露出外壁，外壁上形成有倾斜角，倾斜角将喷射到其上的等离子体的方向改变为斜下方，加快了静电吸盘边缘处的气流下排速率。本实用新型通过倾斜角改变了喷射在其上的等离子体的方向，使得其方向朝下，以加快静电吸盘边缘处的气流下排速率，从而加快等离子体处理室中气体导出率，还减少了蚀刻时在静电吸盘边缘处以及接地环盖上沉积的残留物，从而降低残留物剥离对产品良率的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 静电 吸盘 组件 等离子体 蚀刻 设备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
