[实用新型]一种功率沟槽式MOS场效应管有效
| 申请号： | 201921230126.2 | 申请日： | 2019-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN210092060U | 公开（公告）日： | 2020-02-18 |
| 发明（设计）人： | 梅小杰;林河北;杜永琴 | 申请（专利权）人： | 深圳市金誉半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/02 | 分类号： | H01L23/02;H01L23/16;H01L29/78;H01L23/367 |
| 代理公司： | 深圳市中科创为专利代理有限公司 44384 | 代理人： | 彭西洋;谢亮 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙华区大浪街道浪口社区华*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型属于MOS场效应管技术领域，且公开了一种功率沟槽式MOS场效应管，包括MOS场效应管本体以及罩设于MOS场效应管本体外部的外壳，所述外壳由顶盖和底座组成，所述MOS场效应管本体嵌设于底座的顶端，所述底座的顶部卡接有顶盖，所述顶盖底端的四个拐角处均固定有插杆，且四个插杆内部的中间位置处均开设有锁紧槽，所述底座顶端的四个拐角处均开设有与插杆相对应的插槽，且插槽的内部底部固定有弹簧，所述弹簧的顶端连接有推板，本实用新型采用了插拔式结构，通过插杆、插槽、锁紧杆的设置，实现效应管能够快速拆装，大大地降低了效应管的拆装难度，提高了效应管的拆装效率，有利于效应管的维护和检修，从而提高效应管的维修效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 沟槽 mos 场效应 | ||
【主权项】：
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