[实用新型]一种有机半导体晶体的多温区化学气相沉积装置有效
申请号: | 201921346168.2 | 申请日: | 2019-08-20 |
公开(公告)号: | CN210506515U | 公开(公告)日: | 2020-05-12 |
发明(设计)人: | 姜辉 | 申请(专利权)人: | 姜辉 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C30B25/02;C30B29/54 |
代理公司: | 苏州和氏璧知识产权代理事务所(普通合伙) 32390 | 代理人: | 李晓星 |
地址: | 438300 *** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种有机半导体晶体的多温区化学气相沉积装置,包括工作台和垂直移动系统,所述工作台的顶部通过粘接固定有玻璃外套管,所述玻璃外套管的顶端连接有出气金属连接器,所述垂直移动系统的顶端穿过工作台活动连接在玻璃外套管的内部,所述垂直移动系统的顶端位于玻璃外套管的内部固定有反应容器,所述反应容器的顶部中心处通过玻璃烧结工艺形成圆锥形小孔,所述反应容器的外侧套接固定有加热系统,所述工作台上位于垂直移动系统的一侧设置有与玻璃外套管连通的进气金属连接器。本实用新型能有效提升有机固‑固反应的效率和产率,降低系统的制造成本及使用成本,同时对环境友好,实现绿色无污染的有机固‑固反应。 | ||
搜索关键词: | 一种 有机半导体 晶体 多温区 化学 沉积 装置 | ||
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的