[实用新型]一种红外光敏三极管芯片结构

摘要

本实用新型涉及一种红外光敏三极管芯片结构，包括：背金层，形成集电极；外延片，所述外延片的型号为N<100>，所述外延片包括外延层和外延衬底，所述外延衬底覆盖在所述背金层上，由N型CZ硅单晶制成，所述外延层覆盖在所述外延衬底上，所述外延层的厚度为30‑40μm，电阻率为10‑16Ω·cm，所述外延层远离外延衬底设有基区和发射区，所述发射区设置在所述基区内；氧化层，覆盖在所述外延层上，所述氧化层的厚度为氮化硅膜，覆盖在所述氧化层上，所述氮化硅膜的厚度为折射率为1.9‑2.1，所述发射区连接有发射极，所述发射极穿透所述氧化层和所述氮化硅膜向外。本实用新型的一种红外光敏三极管芯片结构，提高了红外光的转换效率。