[实用新型]一种多芯测试电路结构有效
申请号: | 201921565479.8 | 申请日: | 2019-09-20 |
公开(公告)号: | CN210429811U | 公开(公告)日: | 2020-04-28 |
发明(设计)人: | 栗巍;王业文;徐仲亮;熊晓亮 | 申请(专利权)人: | 矽电半导体设备(深圳)股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518172 广东省深圳市龙岗区龙城街*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种多芯测试电路结构。所述多芯测试电路结构,用于半导体芯粒/LED芯粒的多芯测试,所述多芯测试电路结构包括测试部和导通电路部;所述导通电路部包括第一共极端和第二共极端,所述第一共极端和第二共极端分别与测试部电连接;所述第一共极端连接有多个相互并联的第一电连接端;所述第二共极端连接有多个相互并联的第二电连接端,每个第二电连接端均设置有对应的第二常开型开关用于控制与第二共极端导通;第一电连接端导通,同时导通对应一个第二电连接端的第二常开型开关;所述多芯测试电路结构既能够用于LED芯粒的多芯测试也能够用于半导体芯粒的多芯测试。 | ||
搜索关键词: | 一种 测试 电路 结构 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的