[实用新型]一种新型掩膜版有效
申请号: | 201921584273.X | 申请日: | 2019-09-23 |
公开(公告)号: | CN210348187U | 公开(公告)日: | 2020-04-17 |
发明(设计)人: | 兰沈凯;吴杰明;李岩;范俊;郭启好 | 申请(专利权)人: | 信利(仁寿)高端显示科技有限公司 |
主分类号: | G03F1/38 | 分类号: | G03F1/38 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 刘春风 |
地址: | 620500 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种新型掩膜版,包括掩膜版本体,所述掩膜版本体的下表面设有遮光层形成遮光区,所述掩膜版本体的下表面还形成有透光区,所述掩膜版的的下方还设有曝光基板,所述曝光基板对应掩膜版的透光区形成曝光区,所述掩膜版本体的下表面、对应透光区还向内开设有凹槽,所述凹槽的内表面包括与掩膜版本体的下表面平行的第一表面以及与第一表面两端连接的两个内凹曲面,所述内凹曲面使边缘的偏折光束发生全反射,可以使得曝光基板的曝光区不会增大,提高曝光机的加工精度,可以生产更高分辨率、高开口率的产品。 | ||
搜索关键词: | 一种 新型 掩膜版 | ||
【主权项】:
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
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G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备