[实用新型]一种具有氮化镁壳层的氧化镍/锌镍氧/氧化锌器件有效
申请号: | 201921650552.1 | 申请日: | 2019-09-30 |
公开(公告)号: | CN210272381U | 公开(公告)日: | 2020-04-07 |
发明(设计)人: | 凤天宏 | 申请(专利权)人: | 东北财经大学 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0352 |
代理公司: | 大连理工大学专利中心 21200 | 代理人: | 温福雪 |
地址: | 116024 辽宁*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本实用新型属于半导体器件技术领域,提供一种具有氮化镁壳层的氧化镍/锌镍氧/氧化锌器件,包括氧化锌薄层、氧化镍薄层、锌镍氧超薄层和氮化镁层。该器件充分发挥氧化锌材料在辐射探测方面的耐高温耐辐照的特性,通过引入具有空穴导电特性的氧化镍层,克服氧化锌难以获得稳定空穴导电特性的严重劣势,进而形成基于PN结构的结型辐射探测器件。该器件中增加了锌镍氧超薄层,利用该层所产生的极化诱导作用,减少器件界面对载流子的俘获,提高器件电学性能;同时将氧化锌单晶设计成梯形截面的圆台,在器件周围增加氮化镁壳层,利用其高阻特性及在ZnO单晶侧面形成的反型层,有效解决器件漏电问题,进而降低器件的漏电流噪声,显著提升器件性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 氮化 镁壳层 氧化 锌镍氧 氧化锌 器件 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的