[实用新型]一种后刻蚀式N型接触钝化电池

摘要

本实用新型公开了一种后刻蚀式N型接触钝化电池，包括N型硅片、正面结构以及背面结构，背面结构包括隧穿层、n+多晶硅层、背面钝化层以及背面金属电极，隧穿层、n+多晶硅层以及背面钝化层沿渐远N型硅片的方向依次设置，n+多晶硅层朝向背面钝化层的表面局部凸出并嵌入背面钝化层中，背面金属电极贯穿背面钝化层，背面金属电极的内端与n+多晶硅层的凸出部份接触，其中，n+多晶硅层的非凸出部份的厚度为10‑50nm，n+多晶硅层的凸出部份的厚度为50‑250nm。本实用新型既可以减少背面的自由载流子吸收，提升双面电池的双面率，又消除金属化区域的金属复合，进一步提升N型接触钝化电池转化效率。