[实用新型]一种高电容结构的阵列基板有效
| 申请号： | 201922000569.9 | 申请日： | 2019-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN210668373U | 公开（公告）日： | 2020-06-02 |
| 发明（设计）人： | 岳华琦;陈宇怀 | 申请（专利权）人： | 福建华佳彩有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 | 代理人： | 徐剑兵;张忠波 |
| 地址： | 351100 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种具有高电容结构的阵列基板，包括：在阵列基板上设置有缓冲层，在缓冲层上设置有孔，孔外的缓冲层上设置有薄膜场效应晶体管；在孔内及孔与孔之间缓冲层的面上依次设置有第一电极、第一电极绝缘层、第二电极、第二电极绝缘层和第三电极，第一电极作为下层电容结构的极板；本方案的具有高电容结构的薄膜场效应晶体管，高电容结构驱动下的电路具有更好的稳压效果，可以增大储存电容的容值同时减小电容的占用面积，也具有提高面板像素密度(ppi)与缩小面板边框尺寸的优势。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电容 结构 阵列 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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