[实用新型]一种光伏电池局部隧穿氧化层钝化接触结构及光伏组件有效
申请号: | 201922019213.X | 申请日: | 2019-11-20 |
公开(公告)号: | CN210866196U | 公开(公告)日: | 2020-06-26 |
发明(设计)人: | 杨洁;孙海杰;王钊;徐孟雷;郑霈霆;张昕宇;金浩 | 申请(专利权)人: | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 刘新雷 |
地址: | 314416 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种光伏电池局部隧穿氧化层钝化接触结构及光伏组件,光伏电池局部隧穿氧化层钝化接触结构包括电池片主体、设置在所述电池片主体表面的第一隧穿氧化层、设置在所述隧穿氧化层表面的所述第一多晶硅薄膜层,所述电池片主体表面包括钝化接触区和吸光区,所述第一隧穿氧化层设置在所述钝化接触区,所述第一多晶硅薄膜层在所述电池片主体表面的投影在所述钝化接触区内。通过第一隧穿氧化层、第一多晶硅薄膜层仅仅覆盖钝化接触区,提高了该区域的钝化水平,降低了电池表面的复合,而第一隧穿氧化层、第一多晶硅薄膜层不在吸光区即非金属接触区,减少了对阳光的遮挡,提高了光吸收效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 电池 局部 氧化 钝化 接触 结构 组件 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的