[实用新型]排气装置及半导体设备有效
申请号: | 201922056924.4 | 申请日: | 2019-11-25 |
公开(公告)号: | CN211872081U | 公开(公告)日: | 2020-11-06 |
发明(设计)人: | 崔殿鹏;徐强;张涛;关亚懦 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/52;C23C16/24;H01L21/67 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;王婷 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型提供一种排气装置及半导体设备,该排气装置应用于半导体设备,包括排气管道、阀门及第一检测组件,其中,所述排气管道连通所述半导体设备的工艺腔室和尾气处理装置;所述阀门设置于所述排气管道上;所述第一检测组件设置于所述排气管道上,且位于所述阀门与所述尾气处理装置之间,用于检测所述排气管道内的气体压力值或气体流量值。应用本实用新型可以确定排气管道及阀门的堵塞状态,防止工艺腔室压力过大,甚至发生爆炸等,从而保护反应腔室的安全。 | ||
搜索关键词: | 排气装置 半导体设备 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的