[实用新型]单电压正压驱动的单片数控衰减器芯片有效
申请号: | 201922074651.6 | 申请日: | 2019-11-27 |
公开(公告)号: | CN210745097U | 公开(公告)日: | 2020-06-12 |
发明(设计)人: | 杜琳 | 申请(专利权)人: | 西安博瑞集信电子科技有限公司 |
主分类号: | H03H11/24 | 分类号: | H03H11/24 |
代理公司: | 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316 | 代理人: | 曹卫良 |
地址: | 710000 陕西省西安市高*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本申请提供一种单电压正压驱动的单片数控衰减器芯片,所述芯片电路包括衰减模块、电源保护模块以及电平转换模块;供电电压输入所述电源保护模块的输入端,所述电源保护模块的输出端分别与所述衰减模块的输入端以及所述电平转换模块的供电输入端相连接;控制电压输入所述电平转换模块的控制输入端,所述电平转换模块的控制输出端连接所述衰减模块的控制输入端;射频信号输入所述衰减模块,经过衰减控制后输出。与传统衰减器设计相比,本申请的衰减器通过更改传统衰减单元结构,实现了正压控制衰减器,同时单片集成驱动器,减少了控制端口,实现单电压控制衰减器,使芯片可以兼容TTL/CMOS信号,提高了单片集成度。 | ||
搜索关键词: | 电压 正压 驱动 单片 数控 衰减器 芯片 | ||
【主权项】:
暂无信息
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