[实用新型]浅沟槽隔离结构及半导体结构有效
| 申请号： | 201922105922.X | 申请日： | 2019-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN210575894U | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 黄丽 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种浅沟槽隔离结构及半导体结构，浅沟槽隔离结构包括：浅沟槽，位于基底内；所述浅沟槽由上至下依次连通的第一级至第N级沟槽，i级沟槽的宽度小于第i‑1级沟槽的宽度；其中，N为大于等于2的整数，i为大于等于2且小于等于N的整数；填充隔离材料，填充于所述浅沟槽内，且填满所述浅沟槽。上述浅沟槽隔离结构中的浅沟槽由上至下具有不同的宽度，可以在不增加有源区上部的宽度的前提下增加有源区下部的宽度，从而增加栅极的沟道宽度，降低源极与漏极之间的电阻，增大源极与漏极之间的电流。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 结构 半导体 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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