[实用新型]一种适用于双面组件的高密度封装结构有效
申请号: | 201922162226.2 | 申请日: | 2019-12-05 |
公开(公告)号: | CN211125663U | 公开(公告)日: | 2020-07-28 |
发明(设计)人: | 李高非;郑静;姚伟 | 申请(专利权)人: | 晋能光伏技术有限责任公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/05 |
代理公司: | 镇江京科专利商标代理有限公司 32107 | 代理人: | 朱坤保 |
地址: | 030600 山西省晋中市榆*** | 国省代码: | 山西;14 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种适用于双面组件的高密度封装结构。它包括并排排列的多片双面电池片,相邻的双面电池片之间的边缘相互贴合,相邻的双面电池片的同一表面上的电极方向相反布置,相邻的双面电池片的同一表面上覆盖有互联条,相邻的双面电池片的同一表面上的方向相反的电极通过互联条导电连接,从而形成电池串。采用上述的结构后,彻底消除了电池片间距,使得双面组件在相同版型条件下,有效受光面积大幅增加,从而提高组件封装密度,还有效避免了传统上,互联材料穿过相邻电池片间隙所存在的由互联材料引起的高低差,从而有效降低了层压碎片率。 | ||
搜索关键词: | 一种 适用于 双面 组件 高密度 封装 结构 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的