[实用新型]半导体器件

摘要

本申请公开了一种半导体器件。该半导体器件包括：半导体衬底，包括多个半导体鳍片；多个栅叠层，多个栅叠层与多个半导体鳍片相交，分别包括栅极导体和栅极介质；栅极侧墙，位于多个栅叠层的栅极导体的相对侧面上；源/漏区，位于多个半导体鳍片中并且与多个栅叠层相邻；以及隔离结构，沿第一方向断开个至少一个半导体鳍片，以及沿第二方向断开多个相邻栅极导体，其中，隔离结构包括在多个相邻栅极导体中形成的第一开口，以及在至少一个半导体鳍片中形成的第二开口，第二开口位于第一开口下方。该半导体器件经由多个相邻栅极导体中的开口断开半导体鳍片形成隔离结构，可以提高半导体器件的集成度和器件性能。