[实用新型]一种超低功率半导体功率器件有效
| 申请号： | 201922185672.5 | 申请日： | 2019-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN210607273U | 公开（公告）日： | 2020-05-22 |
| 发明（设计）人： | 丁磊;侯宏伟 | 申请（专利权）人： | 张家港凯思半导体有限公司;江苏协昌电子科技股份有限公司;张家港凯诚软件科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 南京天华专利代理有限责任公司 32218 | 代理人： | 夏平 |
| 地址： | 215612 江苏省苏州市张*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型提出一种超低功率半导体功率器件，其在半导体基板的N‑型外延层上表面开有三个沟槽，第一沟槽的下半内壁覆盖场氧化层，场氧化层内淀积导电多晶硅，第一沟槽的上半内壁及其外围覆盖栅极氧化层，栅极氧化层内淀积栅氧多晶硅，第二、第三沟槽内壁及其外围覆盖场氧化层，场氧化层内淀积导电多晶硅，导电多晶硅上方均覆盖栅极氧化层，第一沟槽外围的氧化层上方覆盖源极金属至第一源极孔内，第一沟槽上方的氧化层上方覆盖栅极金属至栅极孔内，第二沟槽上方覆盖源极金属至第二源极孔内，N+型衬底下表面设有背面电极。本实用新型采用4层光罩层数，相比现有的6‑7层的光罩技术，减少了光罩层数，在保证性能的前提下，有效降低了制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体 器件 | ||
【主权项】：
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