[实用新型]进气装置、反应腔室以及半导体加工设备

摘要

本实用新型提供了一种进气装置，用于半导体加工设备中向反应腔输送工艺气体，进气装置包括：腔体和多个第一输气管路，每个第一输气管路上均设置有第二输气管路，其中：每个所述第一输气管路均设置有第一进气口、第二进气口和第一出气口，第一出气口均与至少一个进气腔的进气口连通，第一进气口与第二输气管路的出气口连通，第二进气口与提供源气体的第一气体源连通，第二输气管路的进气口与提供掺杂气体的第二气体源连通；第二输气管路上设置有流量控制模块，流量控制模块用于控制第二输气管路所输送的掺杂气体的流量。本实用新型还提供了一种反应腔室和半导体加工设备。本实用新型可以使反应腔中基片表面成膜的电阻率一致。