[实用新型]一种漏电互补的ESD结构有效
| 申请号： | 201922241699.1 | 申请日： | 2019-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN210607251U | 公开（公告）日： | 2020-05-22 |
| 发明（设计）人： | 吕强;孙忠民;郭靖;赵红武 | 申请（专利权）人： | 西安硅宇微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H03K17/041 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710000 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种漏电互补的ESD结构，属于电力电子技术，该结构包括两组ESD电路，其中：第一ESD电路和第二ESD电路分别设置在输出开关的两端。本实用新型提出的新型漏电互补的ESD结构能够替代传统的ESD结构，该结构可以大幅度降低开关关断电流的数值，经过实测，该结构可使模拟多路复用器芯片单路开关的关断电流降低到0.1nA以内，提升了模拟多路复用器芯片对微信号传输的准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 漏电 互补 esd 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
