[实用新型]一种集成ESD的VDMOS器件有效
| 申请号： | 201922263152.1 | 申请日： | 2019-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN211017088U | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 袁力鹏;唐呈前;李生龙 | 申请（专利权）人： | 华羿微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L23/60;H01L23/552;H01L21/336 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郭永丽;党娟娟 |
| 地址： | 710018 陕西省西安市未央区*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种集成ESD的VDMOS器件，涉及半导体功率器件领域。用于解决现有增加ESD保护结构的VDMOS器件的制备工艺比较复杂，且VDMOS器件芯片面积比较大，存在制备成本比较高的问题。该器件包括：栅极沟槽、ESD区沟槽、屏蔽层引出区沟槽、有源区沟槽、外延层；所述外延层上依次包括所述有源区沟槽、所述ESD区沟槽、所述屏蔽层引出区沟槽和所述栅极沟槽；两个所述有源区沟槽之间的N型源极区和所述屏蔽层引出区沟槽分别设置源极区金属层接触孔，所述ESD区沟槽和所述栅极沟槽分别设置栅极区金属层接触孔；其中，所述ESD区沟槽内从上至下分布第四多晶硅层和第三多晶硅层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成 esd vdmos 器件 | ||
【主权项】：
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