[实用新型]一种高压LED芯片有效
| 申请号： | 201922292676.3 | 申请日： | 2019-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN211088296U | 公开（公告）日： | 2020-07-24 |
| 发明（设计）人： | 仇美懿;庄家铭;徐亮 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/40;H01L33/00;H01L27/15 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 胡枫;李素兰 |
| 地址： | 528200 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种高压LED芯片，包括衬底、若干个设于衬底正面上的发光结构、设于发光结构上的N电极和P电极、连接电极、以及桥接强化层；所述桥接强化层包括Cr层、Ti层、Pt层和Au层，所述Cr层设置在连接电极和Ti层之间，所述Pt层设置在Ti层和Au层之间；所述连接电极将相邻两个发光结构的N电极和P电极形成导电连接，所述桥接强化层设置在连接电极上，以强化连接电极，并对经过连接电极的电流进行分流。本实用新型通过在连接电极上设置桥接强化层，使得只流经连接电极的电流可以分流到桥接强化层，以减少脉冲电流对连接电极桥接部的冲击，从而提高芯片的抗脉冲电流冲击的能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 led 芯片 | ||
【主权项】：
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