[实用新型]晶硅太阳能电池片

摘要

本实用新型涉及一种晶硅太阳能电池片。太阳能电池片包括基体片，基体片包括P型硅片、顶钝化层、隧穿层和底钝化层。隧穿层设置在P型硅片的底表面上并具有空穴传输能力；底钝化层为掺杂硼的钝化层，底钝化层设置在隧穿层的底表面上。本实用新型提供了基于P型硅片的钝化结构，该结构与现有的PERC钝化技术兼容度较高，有利于太阳能电池片的产业化发展。本实用新型还提供了将具有空穴传输能力的材料作为隧穿层的方案，使得隧穿层在选择空穴的同时阻挡电子传输，优化电池性能。