[实用新型]异质结太阳能电池片

摘要

本实用新型涉及一种异质结太阳能电池片。异质结太阳能电池包括单晶硅片、隧穿层、N型钝化层、P型钝化层和透光导电层。隧穿层设置在单晶硅片的底表面上；N型钝化层设置在隧穿层的底表面上；P型钝化层设置在单晶硅片的顶表面上；透光导电层设置在P型钝化层的顶表面上。在本实用新型中，将钝化接触和异质结两种技术结合起来，既保留了钝化接触的低成本特性又兼具异质结电池的效率高、工艺简单等优势。并且，本实用新型的制备工序中先制备单晶硅片底表面的掺杂多晶硅再制备其顶表面的非晶硅薄膜，从而可以有效避免底表面的磷绕镀到顶表面导致电池短路或失效的问题。