[实用新型]半导体器件及其结边缘区有效
| 申请号： | 201922343333.5 | 申请日： | 2019-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN210984729U | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 杜文芳 | 申请（专利权）人： | 南京芯舟科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 亓赢 |
| 地址： | 210000 江苏省南京市浦口区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请是一种半导体器件及其结边缘区，结边缘区包括同导体类型叠层结构的半导体衬底及其上方的外延层，结边缘区包括一个以上的环单元，其包括在外延层上设置的多数个槽，邻接槽底的第一浮空区，及半导体衬底与外延层之间的第二浮空区。每一个槽内部设置双层的屏蔽多晶硅与栅极多晶硅，通过第一绝缘介质相互隔离，并与半导体衬底及浮空区相隔离。半导体衬底表面设置第二绝缘介质，其覆盖、邻接或邻近第一绝缘介质。第一、二金属层分别设置于结边缘区的上、下两端，第一金属层通过第二绝缘介质上的开口而接触所述栅极多晶硅。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 边缘 | ||
【主权项】：
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