[实用新型]一种半导体硅材料生长炉用电极及生长炉有效
| 申请号： | 201922371683.2 | 申请日： | 2019-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN211734533U | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 李辉;穆童;郑锴;秦英谡;张熠 | 申请（专利权）人： | 南京晶升能源设备有限公司 |
| 主分类号： | C30B35/00 | 分类号： | C30B35/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 张弛 |
| 地址： | 211113 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种半导体硅材料生长炉用电极及生长炉，生长炉用电极包括铜电极、连接铜电极下方的石英套管、连接石英套管下方的陶瓷绝缘件、连接陶瓷绝缘件下方的氮化硼绝缘件、连接氮化硼绝缘件下方的石墨电极、连接石墨电极下方的加热器连接螺钉；该生长炉用电极通过多层绝缘，使加热器在移动过程中不会与隔热层接触，防止出现打火的情况。适用于需要升降在不同热量部分的情况。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 材料 生长 用电 | ||
【主权项】：
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