[实用新型]器件有效
申请号: | 201922397352.6 | 申请日: | 2019-12-27 |
公开(公告)号: | CN211879377U | 公开(公告)日: | 2020-11-06 |
发明(设计)人: | L·M·C·迪迪奥 | 申请(专利权)人: | 意法半导体国际有限公司 |
主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495;H01L21/48 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 郭星 |
地址: | 瑞士*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本实用新型涉及器件。公开了一种包括在引线框架的至少部分上的金属氧化层的引线框架。更特别地,描述了在锡电镀层被形成之前具有在一个或多个引线上形成金属层和金属氧化物层的引线框架。在一个或多个引线与锡电镀层之间的金属层和金属氧化物层减少了锡晶须的形成,因此减少了短路的可能性,并且改善了封装结构和被生产的器件的总体可靠性。 | ||
搜索关键词: | 器件 | ||
【主权项】:
暂无信息
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