[实用新型]一种硅片酸腐蚀系统有效
申请号: | 201922431190.3 | 申请日: | 2019-12-30 |
公开(公告)号: | CN210897216U | 公开(公告)日: | 2020-06-30 |
发明(设计)人: | 王海君;杨波;王军 | 申请(专利权)人: | 麦斯克电子材料有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/306 |
代理公司: | 洛阳公信知识产权事务所(普通合伙) 41120 | 代理人: | 陈佳丽 |
地址: | 471000 河南省洛*** | 国省代码: | 河南;41 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种硅片酸腐蚀系统,涉及半导体材料生产技术领域,包括腐蚀槽,还包括恒温槽和补液槽,外部酸液通过管道分别与补液槽和恒温槽连接,补液槽和外部气体分别通过管道接入腐蚀槽,腐蚀槽上设有排液管,腐蚀槽所在位置高于恒温槽,恒温槽和腐蚀槽之间通过2根管道连通,其中一根管道上设有酸泵,另一根管道用于腐蚀槽内的酸液依靠重力流回恒温槽,恒温槽内设有热交换管,热交换管内接入外部不同温度的水与恒温槽内的酸液进行热量交换。本实用新型有益效果:对腐蚀槽的化学液温度、浓度、搅拌进行针对性的控制,从而使腐蚀过程中硅片的腐蚀速率、腐蚀均匀性、腐蚀表面粗糙度有效受控,保证腐蚀后硅片的一致性。 | ||
搜索关键词: | 一种 硅片 酸腐 系统 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造