[实用新型]高双面率P型单晶硅双面电池结构有效
申请号: | 201922453130.1 | 申请日: | 2019-12-30 |
公开(公告)号: | CN210837775U | 公开(公告)日: | 2020-06-23 |
发明(设计)人: | 庄宇峰;万义茂;崔艳峰;袁声召;于元元;胡玉婷 | 申请(专利权)人: | 东方日升(常州)新能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/0224;H01L31/0216 |
代理公司: | 浙江永鼎律师事务所 33233 | 代理人: | 郭小丽 |
地址: | 213251 江苏省常*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型提供了一种高双面率P型单晶硅双面电池结构,属于太阳能电池技术领域。包括P型硅衬底,所述的P型硅衬底正面设有电极,P型硅衬底背面设有铝栅线,P型硅衬底正面有里往外依次设有正面介质钝化层和正面氮化硅层,P型硅衬底背面有里往外依次设有背面介质钝化层和背面氮化硅层。本实用新大幅度降低背面反射率,解决了绒面结构钝化效果较差的问题,有效提高P型单晶双面电池的双面率,适用于产业化应用。 | ||
搜索关键词: | 双面 单晶硅 电池 结构 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的