[发明专利]具有静电放电保护的光掩模有效
| 申请号： | 201980000184.2 | 申请日： | 2019-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN109891317B | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 姜鹏;穆钰平;方红 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G03F1/40 | 分类号： | G03F1/40 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 林锦辉 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种光掩模，所述光掩模包括衬底、所述衬底上的电路图案、所述衬底上的静电放电(ESD)环以及所述衬底上的ESD线。所述ESD结构围绕所述电路图案。所述ESD线在所述衬底的边缘和所述ESD结构之间延伸，其中，所述ESD线包括延伸超出所述ESD结构的边缘的末端的边缘部分，并且所述ESD线的边缘部分包括至少一个梳状结构。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 静电 放电 保护 光掩模 | ||
【主权项】：
1.一种光掩模，包括：衬底；所述衬底上的电路图案；所述衬底上的静电放电(ESD)结构，并且所述ESD结构围绕所述电路图案；以及所述衬底上的ESD线，并且所述ESD线在所述衬底的边缘和所述ESD结构之间延伸，其中，所述ESD线包括延伸超出所述ESD结构的边缘的末端的边缘部分，并且所述ESD线的所述边缘部分包括至少一个梳状结构。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
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