[发明专利]三维存储器件中的阶梯形成在审
| 申请号： | 201980000263.3 | 申请日： | 2019-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN109952644A | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 周玉婷 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11524 | 分类号： | H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 林锦辉 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 一种用于形成3D存储器的阶梯结构的方法，包括：形成交替层堆叠体，所述交替层堆叠体包括设置在衬底上方的多个电介质层对；在所述交替层堆叠体上方形成第一掩模堆叠体；使用光刻工艺图案化第一掩模堆叠体以限定阶梯区域，所述阶梯区域包括在所述交替层堆叠体上方的N个子阶梯区域，其中N大于1；在所述阶梯区域上方形成第一阶梯结构，所述第一阶梯结构在每个阶梯区域处具有M个台阶，其中M大于1；并且在所述第一阶梯结构上形成第二阶梯结构，所述第二阶梯结构在阶梯区域处具有2*N*M个台阶。 | ||
| 搜索关键词： | 阶梯结构 阶梯区域 堆叠体 交替层 掩模 三维存储器件 电介质层 光刻工艺 存储器 图案化 衬底 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成3D存储器件的方法，包括：形成交替层堆叠体，所述交替层堆叠体包括设置在衬底上方的多个电介质层对；在所述交替层堆叠体上方形成第一掩模堆叠体；图案化所述第一掩模堆叠体以限定阶梯区域，所述阶梯区域包括在所述交替层堆叠体上方的N个子阶梯区域，其中N大于1；在所述阶梯区域上方形成第一阶梯结构，所述第一阶梯结构在每个所述子阶梯区域处具有M个台阶，其中M大于1；以及在所述第一阶梯结构上形成第二阶梯结构，其中所述第二阶梯结构在所述阶梯区域处具有2*N*M个台阶。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
