[发明专利]具有增大的击穿电压的高电压半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201980000403.7 | 申请日： | 2019-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN110024134B | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 孙超 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 林锦辉 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 公开了高电压半导体器件及其制造方法。高电压半导体器件包括半导体衬底、栅极结构、至少一个第一隔离结构和至少一个第二隔离结构、以及至少一个第一漂移区。栅极结构设置在半导体衬底上。第一隔离结构和第二隔离结构设置在栅极结构的一侧的半导体衬底的有源区中。第二隔离结构的端部设置于第一隔离结构与栅极结构之间，并且第一隔离结构的端部设置于第一掺杂区与第二隔离结构之间。至少一个第一隔离结构的底部和至少一个第二隔离结构的底部比第一漂移区的底部深。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 增大 击穿 电压 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高电压半导体器件，包括：半导体衬底，具有有源区，并且所述半导体衬底具有第一导电类型；栅极结构，设置在所述半导体衬底的所述有源区上，并且所述栅极结构沿第一方向延伸；至少一个第一隔离结构和至少一个第二隔离结构，设置在所述栅极结构的一侧的所述半导体衬底的所述有源区中，其中所述至少一个第二隔离结构的端部沿垂直于所述第一方向的第二方向设置在所述至少一个第一隔离结构和所述栅极结构之间；以及至少一个第一漂移区，设置在所述栅极结构的所述一侧的所述半导体衬底的所述有源区中，并且所述至少一个第一漂移区具有与所述第一导电类型互补的第二导电类型，其中，所述至少一个第一隔离结构的底部和所述至少一个第二隔离结构的底部比所述至少一个第一漂移区的底部深。
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