[发明专利]用于形成具有背面字线的三维存储器件的方法

摘要

本文公开了用于形成具有弯折背面字线的三维(3D)存储器件方法的实施例。在示例中，公开了一种用于形成3D存储器件的方法。凹口被形成于衬底的至少一个边缘上。在所述衬底上方并且横向延伸超出所述衬底的至少一个边缘形成半导体层以覆盖所述凹口。沿着所述半导体层的正面和至少一个边缘并沿着所述凹口的顶表面、侧表面和底表面形成多个交错的导电层和介电质层。去除所述衬底的部分以暴露所述半导体层下面的交错的导电层和介电质层。

主权项

1.一种用于形成三维(3D)存储器件的方法，包括：在衬底的至少一个边缘上形成凹口；形成半导体层，所述导体层在所述衬底上方并且横向延伸超出所述衬底的至少一个边缘以覆盖所述凹口；沿着所述半导体层的正面和所述至少一个边缘并沿着所述凹口的顶表面、侧表面和底表面形成多个交错的导电层和介电质层；以及去除所述衬底的一部分以暴露所述半导体层下方的所述交错的导电层和介电质层。