[发明专利]半导体器件制造方法有效
| 申请号： | 201980001291.7 | 申请日： | 2019-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN111557047B | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 王启光;吴功莲 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11556 | 分类号： | H01L27/11556;H01L21/28;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 林锦辉;刘景峰 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种半导体器件(100)以及制造半导体器件(100)的方法。所述半导体器件(100)包括在所述半导体器件(100)的衬底(101)之上沿垂直方向(103)堆叠的晶体管串(102)，所述半导体器件(100)具有沿所述垂直方向(103)延伸的沟道结构(165)。所述晶体管串(102)包括分别沿沟道结构(165)的第一部分、第二部分和第三部分(165(1),165(2),165(3))布置的第一晶体管子串、第二晶体管子串和第三晶体管子串(102(1),102(2),102(3))。所述第一子串、所述第二子串和所述第三子串(102(1),102(2),102(3))当中的晶体管的栅极结构(153b‑153q)通过相应的第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层(124,224,324)隔开，并且所述第二绝缘层(224)具有比所述第三绝缘层(324)的蚀刻速率高的蚀刻速率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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