[发明专利]在形成三维存储器器件的阶梯结构中的标记图案有效
| 申请号： | 201980001344.5 | 申请日： | 2019-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN110494969B | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 陈琳;刘云飞;王猛 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/311;H01L27/11551;H01L27/11578;H01L27/11597 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 林锦辉;刘景峰 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了形成三维(3D)存储器器件的阶梯结构中的标记图案的实施例。在一个示例中，一种半导体器件，包括：堆叠结构，具有在衬底之上沿垂直方向交替布置的多个绝缘层和多个导体层。在一些实施例中，所述半导体器件还包括标记图案，所述标记图案具有在所述衬底之上的不同材料的多个交错层并与所述堆叠结构相邻。所述标记图案包括位于标记区域中的中心标记结构，所述中心标记结构将所述标记区域划分为较远离所述堆叠结构的第一标记子区域和较靠近所述堆叠结构的第二标记子区域，所述第一标记子区域的第一图案密度高于或等于所述第二标记子区域的第二图案密度。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 三维 存储器 器件 阶梯 结构 中的 标记 图案 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：/n堆叠结构，包括在衬底之上沿垂直方向交替布置的多个绝缘层和多个导体层；以及/n标记图案，具有在所述衬底之上的不同材料的多个交错层并与所述堆叠结构相邻，其中，所述标记图案包括位于标记区域中的中心标记结构，所述中心标记结构将所述标记区域划分为较远离所述堆叠结构的第一标记子区域和较靠近所述堆叠结构的第二标记子区域，所述第一标记子区域的第一图案密度高于或等于所述第二标记子区域的第二图案密度。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
