[发明专利]R-T-B系烧结磁体的制造方法有效
| 申请号： | 201980001826.0 | 申请日： | 2019-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN110537235B | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | 石井伦太郎;国吉太 | 申请（专利权）人： | 株式会社博迈立铖 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02;B22F1/00;B22F3/10;B22F3/24;B22F9/04;C22C38/00;H01F1/057 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 日本国东*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种R‑T‑B系烧结磁体的制造方法，其是具有规定的组成、满足式(1)的R‑T‑B系烧结磁体的制造方法，包括以下工序：使用最大厚度为2mm以下的原料Co，制作满足上述R‑T‑B系烧结磁体的组成的合金的工序；由上述合金制作合金粉末的工序；将上述合金粉末成形而得到成形体的成形工序；将上述成形体烧结而得到烧结体的烧结工序；对上述烧结体实施热处理的热处理工序。14[B]/10.8＜[T]/55.85 (1)([B]为以质量％表示的B的含量，[T]为以质量％表示的T(T为Fe和Co)的含量)。 | ||
| 搜索关键词： | 烧结 磁体 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种R-T-B系烧结磁体的制造方法，其中，/n所述R-T-B系烧结磁体含有：/nR：28.5质量％～33.0质量％、其中，R为稀土元素中的至少1种，包含Nd和Pr中的至少1种，/nB：0.85质量％～0.91质量％、/nGa：0.2质量％～0.7质量％、/nCo：0.1质量％～0.9质量％、/nCu：0.05质量％～0.50质量％、/nAl：0.05质量％～0.50质量％、/nFe：61.5质量％以上，/n且满足下述式(1)，/n14[B]/10.8＜[T]/55.85 (1)/n式中，[B]为以质量％表示的B的含量，[T]为以质量％表示的T的含量，T为Fe和Co，/n所述R-T-B系烧结磁体的制造方法包括：/n使用最大厚度为2mm以下的原料Co，制作满足所述R-T-B系烧结磁体的组成的合金的工序；/n由所述合金制作合金粉末的工序；/n将所述合金粉末成形而得到成形体的成形工序；/n将所述成形体烧结而得到烧结体的烧结工序；和/n对所述烧结体实施热处理的热处理工序。/n
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